[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法

摘要

一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，所述鳍式场效应晶体管的形成方法包括提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有鳍部，所述鳍部上具有若干横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构两侧具有侧墙；形成覆盖所述鳍部、栅极结构、侧墙和半导体衬底的介质层，所述介质层的表面高于栅极结构的顶部表面；刻蚀所述介质层，形成开口，所述开口暴露出相邻栅极结构之间的鳍部表面和侧墙表面；沿所述开口刻蚀所述鳍部，在鳍部中形成凹槽；在所述凹槽内形成源/漏极；在所述开口内形成界面层；在所述界面层表面形成填充满所述第一开口的金属插塞。所述鳍式场效应晶体管的形成方法可以简化工艺步骤，提高所述鳍式场效应晶体管的性能。

主权项

一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有鳍部，所述鳍部上具有若干横跨所述鳍部侧壁和顶部的栅极结构，所述栅极结构两侧具有侧墙；形成覆盖所述鳍部、栅极结构、侧墙和半导体衬底的介质层，所述介质层的表面高于栅极结构的顶部表面；刻蚀所述介质层，形成开口，所述开口暴露出相邻栅极结构之间的鳍部表面和侧墙表面；沿所述开口刻蚀所述鳍部，在鳍部中形成凹槽；在所述凹槽内形成源/漏极；在所述开口内形成位于所述源/漏极表面和开口内壁表面的界面层；在所述界面层表面形成填充满所述开口的金属插塞，所述界面层使源/漏极和金属插塞之间的势垒降低；所述界面层为单层结构或双层结构，所述单层结构的界面层为金属氧化物层；或者，所述双层结构的界面层包括位于所述源/漏极表面、开口内壁表面上的氧化硅层和位于所述氧化硅表面的金属氧化物层。