[发明专利]一种低功耗阻变存储器及其制备方法无效
| 申请号： | 201310273038.1 | 申请日： | 2013-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN103296205A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 张楷亮;孙阔;王芳;王宝林;冯玉林;赵金石;程文可;关雪 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种低功耗阻变存储器，由下电极、阻变层和上电极组成并构成叠层结构，其中阻变层为氧化钒薄膜和二氧化硅薄膜叠层结构，各层的厚度分别为：下电极50-200nm、氧化钒薄膜5-100nm、二氧化硅薄膜1-50nm、上电极50-200nm；其制备方法是分别通过磁控溅射、离子束溅射或电子束蒸发方法依次制备各层薄膜。本发明的优点是：该阻变存储器通过在电极和氧化钒薄膜间插入一层二氧化硅，可有效降低了阻变存储器件的reset电流，降低器件的功耗，相对于单层的氧化钒薄膜的阻变器件，功耗能可降低一个数量级。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功耗 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低功耗阻变存储器，其特征在于：由下电极、阻变层和上电极组成并构成叠层结构，其中阻变层为氧化钒薄膜和二氧化硅薄膜叠层结构，各层的厚度分别为：下电极50‑200 nm、氧化钒薄膜5‑100nm、二氧化硅薄膜1‑50nm、上电极50‑200 nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津理工大学，未经天津理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310273038.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
