[发明专利]带有通过电阻器电路互联的载流区域和隔离结构的半导体器件和驱动电路、及其制作方法

摘要

本公开涉及带有通过电阻器电路互联的载流区域和隔离结构的半导体器件和驱动电路、及其制作方法。半导体器件和驱动电路的实施例包括具有第一导电类型的半导体衬底、隔离结构（包括下沉区域和埋层）、位于衬底的由隔离结构包含的部分内的有源器件以及电阻器电路。埋层位于顶衬底表面下方，并且具有第二导电类型。下沉区域延伸于顶衬底表面和该埋层之间，并且具有第二导电类型。有源器件包括载流区域（例如第一导电类型的源极区域和/或第二导电类型的漏极区域），以及电阻器电路连接在隔离结构和载流区域之间。电阻器电路可以包括一个或多个电阻网络以及可选地包括肖特基二极管和/或一个或多个与电阻网络串联和/或并联的PN结二极管。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有第一导电类型和顶衬底表面；埋层，位于所述顶衬底表面下方，其中所述埋层具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型；下沉区域，位于所述顶衬底表面和所述埋层之间，其中所述下沉区域具有所述第二导电类型，并且隔离结构由所述下沉区域和所述埋层形成；所述半导体衬底中的有源器件，位于所述半导体衬底的由所述隔离结构包含的部分内，其中所述有源器件包括：漂移区域，位于有源区域的中心部分内并且从所述顶衬底表面延伸到所述半导体衬底中，体区域，从所述顶衬底表面延伸到所述半导体衬底中并位于所述漂移区域和所述下沉结构之间，源极区域，形成于所述体区域中，其中所述源极区域具有与所述体区域相反的导电类型，以及漏极区域，形成于所述漂移区域中，其中所述漏极区域具有与所述漂移区域相同的导电类型；以及电阻器电路，具有连接到所述隔离结构的第一端子和连接到从所述源极区域和所述漏极区域中选择的载流区域的第二端子，其中所述电阻器电路包括电阻网络和二极管，所述电阻网络包括与所述二极管串联的第一电阻网络和与所述二极管并联的第二电阻网络中的至少一个。