[发明专利]带有通过电阻器电路互联的载流区域和隔离结构的半导体器件和驱动电路、及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底，具有第一导电类型和顶衬底表面；

埋层，位于所述顶衬底表面下方，其中所述埋层具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型；

下沉区域，位于所述顶衬底表面和所述埋层之间，其中所述下沉区域具有所述第二导电类型，并且隔离结构由所述下沉区域和所述埋层形成；

所述半导体衬底中的有源器件，位于所述半导体衬底的由所述隔离结构包含的部分内，其中所述有源器件包括：

漂移区域，位于有源区域的中心部分内并且从所述顶衬底表面延伸到所述半导体衬底中，

体区域，从所述顶衬底表面延伸到所述半导体衬底中并位于所述漂移区域和所述下沉结构之间，

源极区域，形成于所述体区域中，其中所述源极区域具有与所述体区域相反的导电类型，以及

漏极区域，形成于所述漂移区域中，其中所述漏极区域具有与所述漂移区域相同的导电类型；以及

电阻器电路，具有连接到所述隔离结构的第一端子和连接到从所述源极区域和所述漏极区域中选择的载流区域的第二端子，其中所述电阻器电路包括电阻网络和二极管，所述电阻网络包括与所述二极管串联的第一电阻网络和与所述二极管并联的第二电阻网络中的至少一个。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述电阻器电路包括：

多晶硅电阻器。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述载流区域是所述有源器件的所述漏极区域，并且其中所述漏极区域是所述第二导电类型的。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中：

所述漂移区域是所述第二导电类型的；

所述体区域是所述第一导电类型的；以及

其中所述有源器件还包括所述第一导电类型的体接触区域，位于所述体区域内并且从所述顶衬底表面延伸到位于所述源极区域和所述隔离结构之间的所述半导体衬底中。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述载流区域是所述有源器件的所述源极区域，其中所述源极区域是所述第一导电类型的。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中：

所述漂移区域是所述第一导电类型的；

所述漏极区域是所述第一导电类型的；

所述体区域是所述第二导电类型的；以及

所述源极区域从所述顶衬底表面延伸到所述体区域中。

7.一种驱动电路，包括：

第一横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管LDMOSFET，形成于具有第一导电类型和顶衬底表面的半导体衬底上，其中所述第一LDMOSFET包括：

埋层，位于所述顶衬底表面下方，其中所述埋层具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型；

下沉区域，位于所述顶衬底表面和所述埋层之间，其中所述下沉区域具有所述第二导电类型，并且隔离结构由所述下沉区域和所述埋层形成；

有源器件，位于所述半导体衬底的由所述隔离结构包含的部分内，其中所述有源器件包括：

漂移区域，位于有源区域的中心部分内并且从所述顶衬底表面延伸到所述半导体衬底中，

体区域，从所述顶衬底表面延伸到所述半导体衬底中并位于所述漂移区域和所述下沉结构之间，

源极区域，形成于所述体区域中，其中所述源极区域具有与所述体区域相反的导电类型，以及

漏极区域，形成于所述漂移区域中，其中所述漏极区域具有与所述漂移区域相同的导电类型；以及

电阻器电路，具有连接到所述隔离结构的第一端子和连接到从所述源极区域和所述漏极区域中选择的载流区域的第二端子，其中所述电阻器电路包括电阻网络和二极管，所述电阻网络包括与所述二极管串联的第一电阻网络和与所述二极管并联的第二电阻网络中的至少一个。

8.根据权利要求7所述的驱动电路，其中所述电阻器电路包括：

多晶硅电阻器。