[发明专利]用于制造半导体器件的方法和半导体器件有效
申请号: | 201310263546.1 | 申请日: | 2013-06-27 |
公开(公告)号: | CN103515261B | 公开(公告)日: | 2017-11-24 |
发明(设计)人: | 清水晓人;西川健次;诸井定幸;井村智夫 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/488 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人: | 李兰,孙志湧 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及用于制造半导体器件的方法和半导体器件。根据本发明的方法,具有在管芯焊盘的上表面上安装半导体芯片的接合工艺,管芯焊盘的上表面的面积比半导体芯片的背面的面积更大。在接合工艺之后,该方法还具有密封半导体芯片的密封体形成工艺,使得可以暴露管芯焊盘的与上表面相对的下表面。这里,管芯焊盘的上表面围绕着在其上方安装了半导体芯片的区域布置,并且具有其中形成有沟槽或多个穴的凹部布置区。而且,使上表面的表面粗糙程度比下表面的表面粗糙程度更粗糙。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】:
一种用于制造半导体器件的方法,包括以下步骤:(a)制备引线框,所述引线框包括:具有第一平面和位于所述第一平面的相反侧的第二平面的管芯焊盘、以及靠近所述管芯焊盘布置的多个引线;(b)在所述管芯焊盘的所述第一平面的芯片安装区上方安装半导体芯片,所述半导体芯片具有表面、形成在所述表面上方的多个电极和位于所述表面的相反侧的背面;(c)在步骤(b)之后,通过多个第一布线电耦合所述半导体芯片的所述电极的一部分和所述引线,并且通过第二布线电耦合所述电极的另一部分和所述管芯焊盘;以及(d)在上述步骤之后,在步骤(c)之后,利用树脂密封所述半导体芯片、所述第一布线和所述第二布线,使得可以暴露所述引线的每一个的一部分和所述管芯焊盘的所述第二平面,其中,所述管芯焊盘的所述第一平面的面积大于所述半导体芯片的所述背面的面积,其中,所述管芯焊盘的所述第一平面具有所述芯片安装区、位于所述芯片安装区和所述引线之间且与所述第二布线接合的第一接合区、位于所述第一接合区和所述芯片安装区之间且在其中形成有多个穴的第一凹部布置区、以及被布置在所述第一接合区和所述管芯焊盘的外围部分之间且在其中形成有多个穴的第二凹部布置区,其中,在所述管芯焊盘的所述第二平面上方,设置有范围到所述管芯焊盘的侧面的阶梯部分和被布置在所述管芯焊盘的所述第二平面的中心部分和所述阶梯部分之间的沟槽部分,其中,从平面图来看,所述第一凹部、所述第一接合区以及所述第二凹部中的每一个被布置在所述沟槽部分和所述芯片安装区之间,并且不重叠于所述沟槽部分,以及其中,所述穴被分别形成在所述第一凹部布置区和所述第二凹部布置区的每一个中,并且,所述第二布线与由所述穴围绕的区域接合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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