[发明专利]用于制造半导体器件的方法和半导体器件有效

申请号：	201310263546.1	申请日：	2013-06-27
公开（公告）号：	CN103515261B	公开（公告）日：	2017-11-24
发明（设计）人：	清水晓人;西川健次;诸井定幸;井村智夫	申请（专利权）人：	瑞萨电子株式会社
主分类号：	H01L21/60	分类号：	H01L21/60;H01L23/488
代理公司：	中原信达知识产权代理有限责任公司11219	代理人：	李兰,孙志湧
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	用于制造半导体器件方法
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【说明书】：

相关申请的交叉引用

2012年6月27日提交的日本专利申请No.2012-144092的公开，包括说明书、附图和摘要，通过引用其整体而并入本文。

技术领域

本发明涉及一种半导体器件及其制造技术，例如，涉及当被应用于其半导体芯片安装在管芯焊盘上的半导体器件时有效的技术。

背景技术

日本未审专利公布No.2001-85591和日本未审专利公布No.2001-77275描述了在其上方安装了半导体芯片的管芯焊盘部分(芯片焊盘)的上表面和下表面上方形成长而细的沟槽。

发明内容

作为半导体器件的封装模式，存在所谓的接头(tab)暴露型半导体器件，其中在其上方安装了半导体芯片的管芯焊盘(接头)从密封体暴露。由于接头暴露型半导体器件可以增大到半导体器件外部的热辐射路径的面积，所以能够提高散热性。而且，通过电耦合管芯焊盘和半导体芯片，管芯焊盘可以被用作端子。

在这样的半导体器件中，管芯焊盘的平面面积变得比半导体芯片的平面面积大。然而，由于管芯焊盘的平面面积变大，所以很容易产生用于密封半导体芯片的密封体和管芯焊盘的剥离，并且会造成半导体器件的可靠性劣化的问题。

通过描述和本说明书的附图，其它问题和新特征将变得更清晰。

如下将简要说明本申请中公开的有代表性的要点。

也就是，一种制造半导体器件的方法，其是一个实施例，具有将半导体芯片安装在管芯焊盘的第一平面上方的接合工艺，管芯焊盘的第一平面的面积比半导体芯片的背面的面积更大。而且，其具有密封半导体芯片的密封体形成工艺，使得在接合工艺之后可以暴露与管芯焊盘的第一平面相对的第二平面。这里，管芯焊盘的第一平面具有凹部布置区，其围绕着在其上方安装了半导体芯片的区域布置，并且其中形成有沟槽或多个穴。而且，使第一平面的表面粗糙程度比第二平面的表面粗糙程度更粗糙。

如下将简要说明通过本申请书中公开的有代表性的实施例所获得的效果。

也就是，根据本申请书中公开的有代表性的实施例，可以提高半导体器件的可靠性。

附图说明

图1是作为一个实施例的半导体器件的顶视图；

图2是图1中所示的半导体器件的底视图；

图3是示出在移除了图1中所示的密封体的状态下，半导体器件的内部结构的透视平面图；

图4是沿着图1的A-A线的截面图；

图5是沿着图1的B-B线的截面图；

图6是示意性示出图4中所示的管芯焊盘的表面状态的图；

图7是示意性示出与图6不同的半导体器件的管芯焊盘的表面状态的图；

图8是图3中的部分C的放大平面图；

图9是沿着图8中的A-A线的放大截面图；