[发明专利]用于制造半导体器件的方法和半导体器件

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

(a)制备引线框，所述引线框包括：具有第一平面和位于所述第一平面的相反侧的第二平面的管芯焊盘、以及靠近所述管芯焊盘布置的多个引线；

(b)在所述管芯焊盘的所述第一平面的芯片安装区上方安装半导体芯片，所述半导体芯片具有表面、形成在所述表面上方的多个电极和位于所述表面的相反侧的背面；

(c)在步骤(b)之后，通过多个第一布线电耦合所述半导体芯片的所述电极的一部分和所述引线，并且通过第二布线电耦合所述电极的另一部分和所述管芯焊盘；以及

(d)在上述步骤之后，在步骤(c)之后，利用树脂密封所述半导体芯片、所述第一布线和所述第二布线，使得可以暴露所述引线的每一个的一部分和所述管芯焊盘的所述第二平面，

其中，所述管芯焊盘的所述第一平面的面积大于所述半导体芯片的所述背面的面积，

其中，所述管芯焊盘的所述第一平面具有所述芯片安装区、位于所述芯片安装区和所述引线之间且与所述第二布线接合的第一接合区、位于所述第一接合区和所述芯片安装区之间且在其中形成有多个穴的第一凹部布置区、以及被布置在所述第一接合区和所述管芯焊盘的外围部分之间且在其中形成有多个穴的第二凹部布置区，

其中，在所述管芯焊盘的所述第二平面上方，设置有范围到所述管芯焊盘的侧面的阶梯部分和被布置在所述管芯焊盘的所述第二平面的中心部分和所述阶梯部分之间的沟槽部分，

其中，从平面图来看，所述第一凹部、所述第一接合区以及所述第二凹部中的每一个被布置在所述沟槽部分和所述芯片安装区之间，并且不重叠于所述沟槽部分，以及

其中，所述穴被分别形成在所述第一凹部布置区和所述第二凹部布置区的每一个中，并且，所述第二布线与由所述穴围绕的区域接合。

2.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，

其中，在所述芯片安装区、所述第一接合区和所述第一凹部布置区中，所述第一平面的表面粗造程度比所述第二平面的表面粗糙程度粗糙。

3.根据权利要求2所述的用于制造半导体器件的方法，

其中，所述沟槽部分的深度比所述阶梯部分的深度深。

4.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，

其中，所述穴形成在所述第一凹部布置区中，并且所述穴当中的相邻穴的布置间隔等于或小于所述穴的每一个的开口尺寸的两倍。

5.根据权利要求2所述的用于制造半导体器件的方法，

其中，所述第一平面的表面粗糙程度表示为粗糙化表面的表面面积与平坦表面的单位面积的比Sr，Sr为1.2或更大。

6.一种半导体器件，包括：

管芯焊盘，所述管芯焊盘具有第一平面和位于所述第一平面的相反侧的第二平面；

多个引线，所述多个引线靠近所述管芯焊盘布置；

半导体芯片，所述半导体芯片具有表面、形成在所述表面上方的多个电极和位于所述表面的相反侧的背面，并且被安装在所述管芯焊盘的所述第一平面的芯片安装区上方；

多个第一布线，所述多个第一布线电耦合所述半导体芯片的所述电极的一部分和所述引线；

第二布线，所述第二布线电耦合所述半导体芯片的所述电极的另一部分和所述管芯焊盘；以及

密封体，所述密封体密封所述半导体芯片、所述第一布线和所述第二布线，使得可以暴露所述引线的每一个的一部分和所述管芯焊盘的所述第二平面，

其中，所述管芯焊盘的所述第一平面的面积大于所述半导体芯片的所述背面的面积，

其中，所述管芯焊盘的所述第一平面包括所述芯片安装区、位于芯所述片安装区和所述引线之间且与所述第二布线接合的第一接合区、位于所述第一接合区和所述芯片安装区之间且在其中形成有多个穴的第一凹部布置区、以及被布置在所述第一接合区和所述管芯焊盘的外围部分之间且在其中形成有多个穴的第二凹部布置区，

其中，在所述管芯焊盘的所述第二平面上方，设置有范围到所述管芯焊盘的侧面的阶梯部分和被布置在所述管芯焊盘的所述第二平面的中心部分和所述阶梯部分之间的沟槽部分，

其中，从平面图来看，所述第一凹部、所述第一接合区以及所述第二凹部中的每一个被布置在所述沟槽部分和所述芯片安装区之间，并且不重叠于所述沟槽部分，以及

其中，所述穴被分别形成在所述第一凹部布置区和所述第二凹部布置区的每一个中，并且，所述第二布线与由所述穴围绕的区域接合。