[发明专利]一种N型太阳能电池的制作方法无效
| 申请号： | 201310260173.2 | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN103311376A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 郎芳;张伟;丁友谊;胡志岩;李高非;熊景峰 | 申请（专利权）人： | 英利集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 071051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种N型太阳能电池的制作方法，包括：提供N型半导体衬底；在所述N型半导体衬底正表面形成发射极，并采用离子注入工艺在所述N型半导体衬底背表面形成N型重掺杂背场。本发明采用离子注入工艺在所述N型半导体衬底背表面形成N型重掺杂背场，此种制作方法在可以实现单面扩散形成N型太阳能电池背场的同时，可以更好的控制N型重掺杂背场的结深和浓度，制备出更高质量的背场，提高N型太阳能电池的效率。此外，还可以避免高温热扩散对N型半导体衬底的损害，改善了太阳能电池的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 制作方法 | ||
【主权项】：
一种N型太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：提供N型半导体衬底；在所述N型半导体衬底正表面形成发射极，并采用离子注入工艺在所述N型半导体衬底背表面形成N型重掺杂背场。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
