[发明专利]固态成像装置及其制造方法以及电子设备无效
申请号: | 201310254575.1 | 申请日: | 2013-06-25 |
公开(公告)号: | CN103531606A | 公开(公告)日: | 2014-01-22 |
发明(设计)人: | 宫波勇树;中泽正志 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/30 | 分类号: | H01L27/30;H01L51/48 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供了一种固态成像装置及其制造方法以及电子设备。所提供的固态成像装置包括半导体基体、形成在半导体基体之上的有机光电转换层、形成在半导体基体上的绝缘层中的接触孔、形成在接触孔中且将包括有机光电转换层的光电转换部分与半导体基体电连接的导体层、以及通过与接触孔中的导体层自对准地形成在半导体基体中的并且连接到该导体层的接触部分。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 及其 制造 方法 以及 电子设备 | ||
【主权项】:
一种固态成像装置,包括:半导体基体;有机光电转换层,形成在该半导体基体之上;接触孔,形成在该半导体基体上的绝缘层中;导体层,形成在该接触孔中并且该导体层将包括该有机光电转换层的光电转换部分与该半导体基体电连接;和接触部分,与该接触孔中的该导体层自对准地形成在该半导体基体中,并且该接触部分连接到该导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的