[发明专利]读取电路及具有读取电路的记忆装置

摘要

一种读取电路及具有读取电路的记忆装置，包括一电压产生单元以及一漏极偏压单元。电压产生单元包括一回授装置、一第一低临界电压晶体管、一第一负载以及一模拟装置。回授装置根据一参考信号以及一回授信号，产生一控制电压。第一低临界电压晶体管接收控制电压，并串联第一负载以及模拟装置。漏极偏压单元包括一第二低临界电压晶体管以及一第二负载。第二低临界电压晶体管串联第二负载及第一记忆胞，并根据该控制电压而动作；以此，使得数据读取中更为迅速与准确。

主权项

一种读取电路，用以读取一第一记忆胞的数据，其特征在于，所述读取电路包括：一电压产生单元，包括：一回授装置，根据一参考信号以及一回授信号，产生一控制电压；一第一低临界电压晶体管，接收所述控制电压；一第二记忆胞，直接连接所述第一低临界电压晶体管，用以提供所述回授信号，并具有一电性特征，所述电性特征与所述第一记忆胞的电性特征相同；以及一第一负载，串联所述第一低临界电压晶体管；一漏极偏压单元，包括：一第二低临界电压晶体管，耦接所述第一记忆胞，并根据所述控制电压而动作；以及一第二负载，与所述第二低临界电压晶体管耦接于一第一节点；一参考单元，包括：一第三低临界电压晶体管，耦接一参考记忆胞，并根据所述控制电压而动作；以及一第三负载，与所述第三低临界电压晶体管耦接一第二节点；以及一比较单元，比较所述第一节点及所述第二节点的电压，用以产生一输出数据，其中所述输出数据即为所述第一记忆胞所储存的数据，其中所述第一负载与所述第二负载的电性特征相同，所述第一低临界电压晶体管与所述第二低临界电压晶体管的电性特征相同。