[发明专利]读取电路及具有读取电路的记忆装置

权利要求书

1.一种读取电路，用以读取一第一记忆胞的数据，其特征在于，所述读取电路包括：

一电压产生单元，包括：

一回授装置，根据一参考信号以及一回授信号，产生一控制电压；

一第一低临界电压晶体管，接收所述控制电压；

一第二记忆胞，直接连接所述第一低临界电压晶体管，用以提供所述回授信号，并具有一电性特征，所述电性特征与所述第一记忆胞的电性特征相同；以及

一第一负载，串联所述第一低临界电压晶体管；

一漏极偏压单元，包括：

一第二低临界电压晶体管，耦接所述第一记忆胞，并根据所述控制电压而动作；以及

一第二负载，与所述第二低临界电压晶体管耦接于一第一节点；

一参考单元，包括：

一第三低临界电压晶体管，耦接一参考记忆胞，并根据所述控制电压而动作；以及

一第三负载，与所述第三低临界电压晶体管耦接一第二节点；以及

一比较单元，比较所述第一节点及所述第二节点的电压，用以产生一输出数据，其中所述输出数据即为所述第一记忆胞所储存的数据，其中所述第一负载与所述第二负载的电性特征相同，所述第一低临界电压晶体管与所述第二低临界电压晶体管的电性特征相同。

2.根据权利要求1所述的读取电路，其特征在于，所述第一低临界电压晶体管至所述第三低临界电压晶体管均为N型。

3.根据权利要求1所述的读取电路，其特征在于，所述第一负载至所述第三负载均由N型晶体管所构成，上述N型晶体管的栅极与漏极耦接在一起。

4.根据权利要求1所述的读取电路，其特征在于，所述读取电路还包括：

一缓冲器，增强所述控制电压的驱动能力，用以产生一增强电压，所述第二低临界电压晶体管及所述第三低临界电压晶体管接收所述增强电压。

5.根据权利要求1所述的读取电路，其特征在于，所述回授装置为一运算放大器，具有一非反相输入端、一反相输入端以及一输出端，所述非反相输入端接收所述参考信号，所述反相输入端接收所述回授信号，所述输出端提供所述控制电压。

6.一种记忆装置，其特征在于，所述记忆装置包括：

一核心阵列，具有一第一记忆胞；

一参考电路，具有一参考记忆胞，用以储存一参考准位；

一读取电路，读取所述第一记忆胞的数据，并包括：

一电压产生单元，包括：

一回授装置，根据一参考信号以及一回授信号，产生一控制电压；

一第一低临界电压晶体管，接收所述控制电压；

一第二记忆胞，直接连接所述第一低临界电压晶体管，用以提供所述回授信号，并具有一电性特征，所述电性特征与所述第一记忆胞的电性特征相同；以及

一第一负载，串联所述第一低临界电压晶体管；

一漏极偏压单元，包括：

一第二低临界电压晶体管，耦接所述第一记忆胞，并根据所述控制电压而动作；以及

一第二负载，与所述第二低临界电压晶体管耦接于一第一节点；

一参考单元，包括：

一第三低临界电压晶体管，耦接所述参考记忆胞，并根据所述控制电压而动作；以及

一第三负载，与所述第三低临界电压晶体管耦接一第二节点；以及

一比较单元，比较所述第一节点及所述第二节点的电压，用以产生一输出数据，其中所述输出数据即为所述第一记忆胞所储存的数据，

其中所述第一负载与所述第二负载的电性特征相同，所述第一低临界电压晶体管与所述第二低临界电压晶体管的电性特征相同。

7.根据权利要求6所述的记忆装置，其特征在于，所述第一低临界电压晶体管至所述第三低临界电压晶体管均为N型。

8.根据权利要求6所述的记忆装置，其特征在于，所述第一负载至所述第三负载均由N型晶体管所构成，上述N型晶体管的栅极与漏极耦接在一起。

9.根据权利要求6所述的记忆装置，其特征在于，所述记忆装置还包括：

一缓冲器，增强所述控制电压的驱动能力，用以产生一增强电压，所述第二低临界电压晶体管及所述第三低临界电压晶体管接收所述增强电压。

10.根据权利要求6所述的记忆装置，其特征在于，所述回授装置为一运算放大器，具有一非反相输入端、一反相输入端以及一输出端，所述非反相输入端接收所述参考信号，所述反相输入端接收所述回授信号，所述输出端提供所述控制电压。