[发明专利]自修复存储器有效

专利信息
申请号: 201310250358.5 申请日: 2013-06-21
公开(公告)号: CN103514961A 公开(公告)日: 2014-01-15
发明(设计)人: 科马克·迈克尔·欧康诺 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G11C29/44 分类号: G11C29/44
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;孙征
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 存储阵列具有包括多个存储字的多行。多个第一位中的每个第一位都与每行的存储字相关。每个第一位的状态都指示相关存储字是否存在错误。多个冗余行中的每个冗余行都包括多个冗余字。每个冗余字都与存储字相关。校正数据高速缓存具有:至少一个修复字(repair word),被配置成存储校正数据;以及至少一个状态位,与至少一个修复字相关联,状态位指示存储在修复字中的校正数据是否是待处理的修复。校正数据高速缓存被配置成将存储在修复字中的校正数据写入到相应的存储字和相应的冗余字中的至少一个中。本发明还提供了自修复存储器。
搜索关键词: 修复 存储器
【主权项】:
一种存储器,包括:存储阵列,具有多行,所述存储阵列的所述多行中的每行都包括多个存储字;多个第一位,所述多个第一位中的每个第一位都与所述存储阵列的所述多行中的每行的所述多个存储字中的存储字相关联,其中,每个第一位的逻辑状态都指示与所述每个第一位相关联的存储字是否存在故障位;多个冗余行,所述多个冗余行中的每个冗余行都包括多个冗余字,所述多个冗余字中的每个冗余字都与所述存储阵列的所述多行中的每行的所述多个存储字中的相应存储字相关联;以及校正数据高速缓存,具有被配置成存储校正数据的至少一个修复字和与所述至少一个修复字相关联的至少一个状态位,所述状态位指示存储在所述修复字中的所述校正数据是否是待处理的修复,所述校正数据高速缓存被配置成将存储在所述修复字中的所述校正数据写入到相应的存储字和相应的冗余字的至少一个中。
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