[发明专利]一种绝缘栅双极型双向可选功率管无效
| 申请号： | 201310243065.4 | 申请日： | 2013-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN103325821A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 黄志文 | 申请（专利权）人： | 南宁市柳川华邦电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/417;H01L29/423 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 530003 广西壮*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，具体的涉及绝缘栅双极型双向可选功率管，包括基底、栅氧化层和多晶硅栅，基底衬底、衬底上的上外延层和衬底下的下外延层，上外延层内设有阱区，栅氧化层和多晶硅栅位于阱区和外延层的交接处，上外延层内设有上集电极漂移区；下外延层设有下集电极漂移区；阱区内设有发射极漂移区，上集电极漂移区形成上集电极，下集电极漂移区形成下集电极，发射极漂移区上形成发射极，多硅晶栅上形成栅极。本发明有益效果在于，传统结构中位于半导体晶片背面的集电极的基础上，再在发射极和栅极半导体晶片同一面的衬底上增设一个集电极，进而有利于绝缘栅双极型功率管与其它半导体器件的集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 栅双极型 双向 可选 功率管 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极型双向可选功率管，其特征在于，包括基底、栅氧化层和多晶硅栅，所述基底衬底、衬底上的上外延层和衬底下的下外延层，上外延层内设有阱区，所述栅氧化层和多晶硅栅位于阱区和外延层的交接处，所述上外延层内设有上集电极漂移区；所述下外延层设有下集电极漂移区；所述阱区内设有发射极漂移区，所述上集电极漂移区形成上集电极，所述下集电极漂移区形成下集电极，发射极漂移区上形成发射极，所述多硅晶栅上形成栅极。
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