[发明专利]一种采用Si基衬底的二极管

摘要

本发明公开了一种采用Si基衬底的二极管，它涉及一种二极管。它包括背面Tu电极、Si衬底、AlN缓冲层、AlGaN缓冲层、AlN/GaN超晶格层、粘贴金属、金属反射镜、GaN外延层和正面Tu电极，背面Tu电极上设置有Si衬底，Si衬底上依次设置有AlN缓冲层、AlGaN缓冲层、AlN/GaN超晶格层、粘贴金属、金属反射镜和GaN外延层，GaN外延层外部设置有正面Tu电极。本发明衬底热导率高，可靠性高，发光层背面为金属反射镜，表面有粗化结构，取光效率高。

主权项

一种采用Si基衬底的二极管，其特征在于，包括背面Tu电极(1)、Si衬底(2)、AlN缓冲层(3)、AlGaN缓冲层(4)、AlN/GaN超晶格层(5)、粘贴金属(6)、金属反射镜(7)、GaN外延层(8)和正面Tu电极(9)，背面Tu电极(1)上设置有Si衬底(2)，Si衬底(2)上依次设置有AlN缓冲层(3)、AlGaN缓冲层(4)、AlN/GaN超晶格层(5)、粘贴金属(6)、金属反射镜(7)和GaN外延层(8)，GaN外延层(8)外部设置有正面Tu电极(9)。