[发明专利]一种采用Si基衬底的二极管有效
| 申请号： | 201310242986.9 | 申请日： | 2013-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN103311396A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 黄志文 | 申请（专利权）人： | 南宁市柳川华邦电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 530003 广西壮*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 采用 si 衬底 二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种采用Si基衬底的二极管，其特征在于，包括背面Tu电极(1)、Si衬底(2)、AlN缓冲层(3)、AlGaN缓冲层(4)、AlN/GaN超晶格层(5)、粘贴金属(6)、金属反射镜(7)、GaN外延层(8)和正面Tu电极(9)，背面Tu电极(1)上设置有Si衬底(2)，Si衬底(2)上依次设置有AlN缓冲层(3)、AlGaN缓冲层(4)、AlN/GaN超晶格层(5)、粘贴金属(6)、金属反射镜(7)和GaN外延层(8)，GaN外延层(8)外部设置有正面Tu电极(9)。
2.根据权利要求1所述的一种采用Si基衬底的二极管，其特征在于，所述的金属反射镜(7)为Ag电极反射镜。
3.根据权利要求1所述的一种采用Si基衬底的二极管，其特征在于，所述的GaN外延层(8)表面为深度粗化结构。
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