[发明专利]一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201310240595.3 申请日: 2013-06-17
公开(公告)号: CN103337522A 公开(公告)日: 2013-10-02
发明(设计)人: 王海宏;焦峰 申请(专利权)人: 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L27/12;H01L21/77;G03F1/32;G03F7/00;G03F7/20
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制造方法,其包括:扫描线和数据线、由扫描线和数据线交叉限定的若干像素单元,每个像素单元包括:薄膜晶体管、有源层、以及像素电极,其中,有源层由金属氧化物制成的,像素电极、源极和漏极均是由金属氧化物通过离子注入方式使得金属氧化物具有导电特性。本发明通过将金属氧化物适合作为ITO与a-Si替代品的特性,提出四道光罩制程的阵列基板,可以减化制程降低制造成本,将半导体层与透明电极层整合在一起,利用半色调掩膜版或者灰色调掩膜版将沟道保护层和金属氧化物层用一道掩膜版制作,利用离子注入方式让其他的金属氧化物成为具有导体特性的透明电极,如此可以四道光罩制程即完成阵列基板。
搜索关键词: 一种 金属 氧化物 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法
【主权项】:
一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板,该金属氧化物薄膜晶体管阵列位于玻璃基板上,其特征在于,其包括:位于玻璃基板上的纵横交错的扫描线和数据线、由扫描线和数据线交叉限定的若干像素单元,每个像素单元包括:薄膜晶体管、有源层、以及像素电极,所述薄膜晶体管包括与扫描线一起形成的栅极、与数据线连接的源极、以及与像素电极连接的漏极,其中,有源层由金属氧化物制成的,像素电极、源极和漏极均是由金属氧化物通过离子注入方式使得金属氧化物具有导电特性。
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