[发明专利]反熔丝结构及编程方法

摘要

一种反熔丝结构及编程方法，利用PMOS晶体管作为反熔丝结构，且所述源极和栅极与第一电压端相连接，所述漏极和有源区与第二电压端相连接，当需要对所述反熔丝结构进行编程时，在所述第一电压端施加编程电压，且将第二电压端与接地端相连接，由于热电子引起的穿通效应，所述PMOS晶体管的源区和漏区发生穿通，从而使得所述PMOS晶体管从原始的断开状态变为导通状态，完成反熔丝结构的编程操作。由于本发明利用PMOS晶体管的热电子引起的穿通效应形成反熔丝结构，所述编程电压的电压值较低，不需要形成额外的高压晶体管，与现有的工艺兼容，且工艺难度低。

主权项

1.一种反熔丝结构，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底内的有源区和包围所述有源区的浅沟槽隔离结构，所述有源区为N型阱区；横跨所述有源区的栅极，位于所述栅极两侧有源区内的源极和漏极，所述栅极、源极、漏极和有源区构成PMOS晶体管，所述栅极包括栅氧化层、位于栅氧化层表面的栅电极，所述栅氧化层与有源区之间的界面会产生缺陷，在对所述反熔丝结构进行编程时，所述缺陷会捕获热电子，在栅氧化层与有源区之间的界面形成缺陷电荷区，靠近缺陷电荷区的有源区内的空穴被吸引，产生空穴的导通通路，所述空穴的导通通路与漏区相连接，使得源区和漏区发生穿通；所述栅极包括位于中间位置的第一部分和位于第一部分两侧的第二部分，通过调整所述第一部分的宽度和所述第二部分的宽度的比值，使得栅极的第一部分和第二部分能够尽可能的同时导通；所述PMOS晶体管的栅极、源极与第一电压端相连接，所述PMOS晶体管的漏极、有源区与第二电压端相连接。