[发明专利]激光退火的方法及装置无效
| 申请号： | 201310229359.1 | 申请日： | 2013-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN103346065A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 许修齐;叶昱均 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/268 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201506 上海市金山区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种激光退火的方法及装置，通过增加一预处理设备，对基板进行预处理工艺，解决了现有技术中准分子激光退火工艺中的结晶率不稳定的问题，进而提高产品的良率，同时，利用第N基板在转化设备进行转化工艺的时间，通过机械手臂调取第N+1基板至预处理设备，提高了机械手臂的利用率，并且通过增加一缓冲设备进行缓冲处理，使得基板的传送路径和取回路径不同，从而克服了现有技术中由于机械手臂的传送路径与返回路径相同而造成的生产效率低下的问题，在提高生产效率的同时，降低了制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 退火 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种激光退火的方法，同时应用于多个具有非晶硅薄膜的基板上，其特征在于，包括：于一激光退火装置中，对第N基板进行预处理工艺后，继续对该第N基板进行转化工艺，并对第N+1基板进行所述预处理工艺；对完成所述转化工艺的第N基板进行缓冲处理的同时，对第N+1基板进行所述转化工艺，并对第N+2基板进行所述预处理工艺；其中，N为正整数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
