[发明专利]激光退火的方法及装置

权利要求书

1.一种激光退火的方法，同时应用于多个具有非晶硅薄膜的基板上，其特征在于，包括：

于一激光退火装置中，对第N基板进行预处理工艺后，继续对该第N基板进行转化工艺，并对第N+1基板进行所述预处理工艺；

对完成所述转化工艺的第N基板进行缓冲处理的同时，对第N+1基板进行所述转化工艺，并对第N+2基板进行所述预处理工艺；

其中，N为正整数。

2.如权利要求1所述的激光退火的方法，其特征在于，所述激光退火装置中设置有预处理区、转化区和缓冲区；

于所述预处理区中进行所述预处理工艺；

于所述转化区中进行所述转化工艺；

于所述缓冲区中进行所述缓冲处理。

3.如权利要求2所述的激光退火的方法，其特征在于，进行所述预处理工艺的时间为T1，进行所述转化工艺的时间为T2；

当T1＜T2时，所述第N基板传送至转化区T2-T1时间后，将所述第N+1基板放置于所述预处理区；

当T1≥T2时，所述第N基板传送至转化区的同时，将所述第N+1基板放置于所述预处理区。

4.如权利要求3所述的激光退火的方法，其特征在于，所述预处理工艺为预加热工艺。

5.如权利要求4所述的激光退火的方法，其特征在于，所述预处理区中设置有一预加热源，利用所述预加热源对所述基板进行预加热工艺。

6.如权利要求5所述的激光退火的方法，其特征在于，所述预加热源包括多个热源分布均匀的近红外光源。

7.如权利要求6所述的激光退火的方法，其特征在于，每个所述近红外光源均设置于所述基板的上方。

8.如权利要求7所述的激光退火的方法，其特征在于，每个所述近红外光源与所述基板的上表面之间的距离H均相等，且该H的范围为200mm～300mm。

9.如权利要求4～8中任意一项所述的激光退火的方法，其特征在于，所述预加热工艺的加热温度为450℃～550℃。

10.如权利要求3所述的激光退火的方法，其特征在于，所述转化工艺为激光退火工艺，通过该激光退火工艺将所述基板中的非晶硅薄膜部分或者全部转化为多晶硅薄膜。

11.如权利要求3所述的激光退火的方法，其特征在于，所述缓冲处理为降温处理。

12.如权利要求2所述的激光退火的方法，其特征在于，还包括：采用一机械手臂将每个基板放置于所述预处理区进行预处理工艺。

13.如权利要求12所述的激光退火的方法，其特征在于，激光退火装置中还包括一返回区，采用第二基板载具将完成缓冲处理的基板从缓冲区传送至所述返回区。

14.如权利要求13所述的激光退火的方法，其特征在于，采用所述机械手臂从所述缓冲区或者所述返回区中取回所述基板。

15.如权利要求2所述的激光退火的方法，其特征在于，还包括：采用一气浮式控制平台将完成所述预处理工艺的基板传送至所述转化区。

16.如权利要求2所述的激光退火的方法，其特征在于，还包括：采用第一基板载具将完成所述转化工艺的基板传送至所述缓冲区。

17.一种激光退火装置，应用于如权利要求1所述的激光退火的方法中，其特征在于，所述装置包括：预处理设备、转化设备和缓冲设备；

所述预处理设备通过一浮动式控制平台将完成预处理工艺的基板传送至所述转化设备中进行转化工艺；

所述转化设备通过第一基板载具将完成转化工艺的基板传送至所述缓冲设备进行缓冲处理。

18.如权利要求17所述的激光退火装置，其特征在于，所述装置还包括一返回设备，所述缓冲设备通过第二基板载具将完成缓冲处理的基板传送至所述返回设备。

19.如权利要求18所述的激光退火装置，其特征在于，采用一机械手臂从所述缓冲设备或者所述返回设备中取回基板。

20.如权利要求19所述的激光退火装置，其特征在于，所述预处理工艺为预加热工艺。