[发明专利]具有改良的栅极高度均匀性的半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201310225298.1 | 申请日： | 2013-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN103489784A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 谢瑞龙;蔡秀雨;A·C·魏;R·米勒 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有改良的栅极高度均匀性的半导体装置及其制造方法，其中，提供数种半导体装置以及用于制造半导体装置的方法。在一具体实施例中，一种用于制造半导体装置的方法包括：在半导体表面上形成包含多晶硅栅极及帽盖的临时栅极结构。形成间隔体于该临时栅极结构四周。移除该帽盖与该间隔体的一部分。沉积覆于该多晶硅栅极上的均匀衬板。该方法移除覆于该多晶硅栅极上的该均匀衬板的一部分以及该多晶硅栅极以形成栅极沟槽。然后，在该栅极沟槽中形成取代金属栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改良 栅极 高度 均匀 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体装置的方法，包括：在半导体表面上形成包含多晶硅栅极及帽盖的临时栅极结构；形成间隔体于该临时栅极结构四周；移除该帽盖以及该间隔体的一部分；沉积覆于该多晶硅栅极上的均匀衬板；移除覆于该多晶硅栅极上的该均匀衬板的一部分以及该多晶硅栅极，以形成栅极沟槽；以及在该栅极沟槽中形成取代金属栅极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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