[发明专利]LED发光基片、LED芯片COB封装结构及采用该结构的LED灯有效
| 申请号： | 201310225255.3 | 申请日： | 2013-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN104218137B | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 陈宗烈 | 申请（专利权）人： | 江苏豪迈照明科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/42;H01L33/60;H01L25/075 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 陈源,崔利梅 |
| 地址： | 224700 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | LED发光基片、LED芯片COB封装结构及采用该结构的LED灯。其中的LED芯片COB封装结构包括一个或多个LED发光基片（10），每个LED发光基片包括连接阳极（A+）的P型半导体层（P）；连接阴极（A‑）的N型半导体层（N）；以及形成在所述P型半导体层和N型半导体层之间的发光PN结层（102），其中所述的阴极（A‑）是透明电极并通过导电的透明衬底层（T）与所述的N型半导体层结合；所述LED芯片COB封装结构还包括透光基板（110），其用于承载所述一个或多个LED发光基片（10），所述透光基板（110）的一侧与所述一个或多个LED发光基片（10）的阴极（A‑）结合，另一侧与一反光结构层（R）结合。 | ||
| 搜索关键词： | led 发光 芯片 cob 封装 结构 采用 | ||
【主权项】：
一种LED发光基片(10)，其包括：连接阳极(A+)的P型半导体层(P)；连接阴极(A‑)的N型半导体层(N)；以及形成在所述P型半导体层和N型半导体层之间的发光PN结层(102)；其特征在于，所述的阴极(A‑)是透明电极并通过导电的透光衬底层(T)与所述的N型半导体层结合；以及所述透光衬底层为由不透明芯片衬底形成的厚度达分子尺寸级的透光衬底层。
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