[发明专利]晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201310224085.7 | 申请日： | 2013-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN104217957B | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种晶体管及其形成方法，其中，所述晶体管包括衬底，所述衬底包括绝缘层、以及位于绝缘层表面的半导体层，所述半导体层表面具有若干栅极结构；位于相邻栅极结构之间的半导体层的开口，所述开口暴露出绝缘层；位于所述开口侧壁表面的第一应力层；位于侧壁表面具有第一应力层的开口内的介质层，所述介质层的表面低于半导体层表面；位于所述第一应力层和介质层表面的第二应力层，所述第二应力层填充满开口。所述晶体管漏电流减少，性能提高。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括绝缘层、以及位于绝缘层表面的半导体层，所述半导体层表面具有若干栅极结构；刻蚀相邻栅极结构之间的半导体层直至暴露出绝缘层为止，形成开口；在所述开口的侧壁表面形成第一应力层，所述第一应力层的形成工艺为选择性外延沉积工艺，所述第一应力层的外延方向与半导体层的表面平行；在形成第一应力层之后，在所述开口内填充介质层，所述介质层的表面低于半导体层表面；在形成介质层之后，在所述第一应力层和介质层表面形成填充满开口的第二应力层，所述第二应力层的形成工艺为选择性外延沉积工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
