[发明专利]包括石墨烯沟道的隧穿场效应晶体管有效
| 申请号： | 201310221610.X | 申请日： | 2013-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN103715259B | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 许镇盛;朴晟准;卞卿溵;D.徐;宋伣在;李载昊;郑现钟 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供包括石墨烯沟道的隧穿场效应晶体管(TFET)。该TFET包括在基板上的第一电极；在第一电极上的半导体层；在半导体层上的石墨烯沟道，该石墨烯沟道朝向与第一电极相邻的第一区域延伸；在石墨烯沟道上的第二电极，该第二电极在第一区域上；覆盖石墨烯沟道的栅绝缘层；以及在栅绝缘层上的栅电极。第一电极和石墨烯沟道设置为彼此面对，半导体层设置在其间。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 石墨 沟道 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种隧穿场效应晶体管，包括：在基板上的第一电极；在所述第一电极上的半导体层；在所述半导体层上的石墨烯沟道，所述石墨烯沟道延伸到所述基板上的与所述第一电极相邻的第一区域；在所述石墨烯沟道上的第二电极，所述第二电极设置在所述第一区域上；覆盖所述石墨烯沟道的栅绝缘层；以及在所述栅绝缘层上的栅电极，其中所述第一电极的一部分和所述石墨烯沟道设置为彼此面对，所述半导体层设置在其间，其中所述第一电极包括主体部分和从所述主体部分朝向所述第一区域在所述半导体层下面延伸的延伸部分，所述第一电极的所述部分是延伸部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310221610.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于车辆的热交换器
- 下一篇：一种除甲醛纳米混合物及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
