[发明专利]一种降低绝缘体上硅材料埋氧层中正电荷密度的方法有效
| 申请号： | 201310220544.4 | 申请日： | 2013-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN104217925B | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 郑中山;于芳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体工艺与集成电路制造技术领域，公开了一种降低绝缘体上硅材料埋氧层中正电荷密度的方法，该方法是以离子注入方式对绝缘体上硅(SOI)材料进行埋氧层注氟，并在注氟后对SOI材料进行退火。依据正电荷密度的高低，注氟剂量在1×1014cm‑2～1×1017cm‑2之间选择，对应的退火温度在800℃～1100℃间。本发明解决了用离子注入方式对SOI材料进行改性时引起的材料埋氧层内正电荷密度升高的问题，且对于改性SOI材料的工艺优化及提高材料埋氧层的电学品质等具有实用性强、方法简单、易于实现等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 绝缘体 材料 埋氧层 中正 电荷 密度 方法 | ||
【主权项】：
一种降低绝缘体上硅材料埋氧层中正电荷密度的方法，其特征在于，该方法是以离子注入方式对绝缘体上硅SOI材料进行埋氧层注氟，并在注氟后对SOI材料进行退火；其中，所述SOI材料是指通过离子注入方式对材料埋氧层进行辐射加固过程中引起埋层内正电荷密度上升的SOI材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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