[发明专利]一种多晶硅炉管工艺中控片的改进结构及其制备方法和使用方法

摘要

本发明涉及一种多晶硅炉管工艺中控片的改进结构及其制备方法和使用方法，其中，控片制备方法包括以下步骤：于一硅衬底的上表面上制备一保护层；于保护层上表面上制备二氧化硅薄膜。该制备方法构成本发明中控片的改进结构。使用方法包括以下步骤：步骤1、对控片前值测量；步骤2、判断前值是否超出规定；若超出规定，则进行步骤3；若未超出规定，进行步骤6；步骤3、去除控片的二氧化硅薄膜和保护层；步骤4、制备保护层覆盖硅衬底；步骤5、制备二氧化硅薄膜覆盖保护层，并对控片进行步骤1；步骤6、对控片进行多晶硅炉管工艺；步骤7、去除多晶硅层和二氧化硅薄膜，并进行步骤4、步骤5。本发明有效解决了衬底与酸液直接接触的问题。

主权项

一种多晶硅炉管工艺中的控片，其特征在于，所述控片包括一硅衬底，所述硅衬底的上表面覆盖有一层保护层，所述保护层的上表面覆盖有二氧化硅薄膜；其中，所述保护层为在湿法去除所述二氧化硅薄膜的溶液中的刻蚀速率小于二氧化硅薄膜的刻蚀速率的薄膜。