[发明专利]一种由片状氧化锡组成的纳米墙结构及其制备方法

摘要

本发明具体涉及一种由片状氧化锡组成的纳米墙结构及其制备方法。其方法是以氧化亚锡粉末和碳粉混合物作为源材料料，利用热蒸发方法生长的。所制纳米墙结构的边缘并不规则，各墙的侧面也不光滑，其直径大约在100‑1000nm，厚度约为30nm。本发明可以在硅片衬底上大面积的生长这种结构，其独特的构造以及抗氧化，耐高温，场发射电流密度高，开启电场较低，有效避免场屏蔽效应，发射稳定性好等特点可以实现其在场发射器件中的应用，该结构比表面积大，将明显增强氧化锡材料对各种化学气体的敏感特性，可以作为气体敏化材料应用于微纳传感器领域，因此该结构具有巨大的科学研究价值和广阔的商业应用前景。

主权项

一种由片状氧化锡组成的纳米墙结构的制备工艺，其特征在于，所述纳米墙结构的边缘不规则，各墙的侧面不光滑，其直径为100～1000nm，厚度为 30nm，该制备工艺的步骤如下：1)将氧化亚锡粉末和碳粉按质量比为2.5∶1配比，加无水乙醇，通过超声充分混合后烘干作为源材料；2)将水平放置的管式生长炉以15℃/min的速率加热到650℃；所述管式生长炉的石英管长度为110cm，直径为8cm；3)将所述源材料平铺在一个石英舟里，将一硅片作为衬底垂直放于所述源材料的下风口处，所述衬底与所述源材料的距离为0.5cm，把载有所述源材料和所述衬底的石英舟放到预先加热好的所述管式生长炉的中部；4)向所述管式生长炉中通入流量为0.5L/min的高纯氩气作为保护气，所述管式生长炉的出气口保持半封闭状态，在大气压强下反应90min后关掉所述管式生长炉，使所述管式生长炉自然冷却到室温，在此过程中始终保持氩气流量不变；5)取出所述石英舟，在所述衬底上沉积了一层厚度均匀的白色絮状物质。