[发明专利]一种半导体激光器芯片欧姆接触电极及其制备方法与应用

摘要

本发明涉及一种半导体激光器芯片欧姆接触电极，包括在半导体激光器芯片上制备有欧姆接触电极，所述的欧姆接触电极包括由下而上依次制备的多种单质金属层，在相邻不同种类单质金属层之间制备有含该相邻两种单质金属的混合金属层。本发明所述的单质金属层的金属为可用于蒸镀欧姆接触电极金属，属于现有公知技术。本发明针对目前GaAs半导体激光器芯片制备，提出了一种新的欧姆接触电极的制作方法，具有粘附性好、金属层间应力小，能够有效的促进金属薄膜层间的相变以及高温下的互扩散，有利于金属系的混合层化以及抗热疲劳、耐冲击的能力，从而提高了GaAs半导体激光器芯片欧姆接触性能、散热能力、可靠性和寿命。

主权项

一种半导体激光器芯片欧姆接触电极，包括在半导体激光器芯片上制备有欧姆接触电极，所述的欧姆接触电极包括由下而上依次制备的多种单质金属层，在相邻不同种类单质金属层之间制备有含该相邻两种单质金属的混合金属层；在相邻不同种类单质金属层之间制备有含该相邻两种单质金属的混合金属层，所述混合金属层中所含相邻两种单质金属的体积比为1:(0.05～20)；所述欧姆接触电极的单质金属层和混合金属层的总层数为2N+1层，其中N≥1；所述的半导体激光器芯片为GaAs半导体激光芯片，所述GaAs半导体激光芯片P面欧姆接触电极由下而上依次为Ti金属层、Ti/Pt混合金属层、Pt金属层、Pt/Au混合金属层和Au金属层；所述Ti金属层的厚度范围100埃‑1000埃；所述Ti/Pt混合金属层的厚度范围100埃‑1000埃；Pt金属层厚度范围200埃‑3000埃；Pt/Au混合金属层的厚度范围200埃‑1000埃；Au金属层的厚度范围500埃‑20000埃；或，所述GaAs半导体激光芯片P面欧姆接触电极由下而上依次为Ti金属层、Ti/Au混合金属层和Au金属层；所述Ti金属层的厚度范围100埃‑1000埃；所述Ti/Au混合金属层的厚度范围100埃‑1000埃；所述Au金属层的厚度范围1000埃‑20000埃；或，所述的半导体激光器芯片为GaAs半导体激光芯片，GaAs半导体激光芯片P面欧姆接触电极由下而上依次为Ni金属层、Ni/Au混合金属层和Au金属层；所述Ni金属层厚度范围100埃‑1000埃；所述Ni/Au混合金属层厚度范围100埃‑1000埃；所述Au金属层厚度范围1000埃‑20000埃；或所述GaAs半导体激光芯片P面欧姆接触电极由下而上依次为Au金属层、Au/Be混合金属层、Be金属层、Be/Au混合金属层、和Au金属层；所述Au金属层厚度范围100埃‑200埃；所述Au/Be混合金属层厚度范围500埃‑3000埃；所述Be金属层厚度范围50埃‑1000埃；所述Be/Au混合金属层厚度范围50埃‑1000埃；所述Au金属层厚度范围500埃‑20000埃。