[发明专利]一种键合加热装置及加热方法在审
| 申请号： | 201310213206.8 | 申请日： | 2013-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN104217976A | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 韩林森;龚平;王从亮 | 申请（专利权）人： | 无锡华润安盛科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/60 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 王爱伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种键合加热装置及加热方法，包括设置于键合设备轨道下方的加热块、安装于所述键合设备轨道的上方的加热器及气源，所述气源经输送管路与所述加热器进气口连接，气体经所述输送管路进入所述加热器，再自该加热器的下方吹出至产品表面上，通过对产品上方吹热送热空气的加热方法，利用热对流原理满足键合温度要求，适应预塑封产品的键合需求，提高产品质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 加热 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种键合加热装置，包括设置于键合设备轨道下方的加热块，其特征在于：还包括安装于所述键合设备轨道的上方的加热器及气源，所述气源经输送管路与所述加热器进气口连接，气体经所述输送管路进入所述加热器，再经所述加热器吹出至产品表面上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润安盛科技有限公司，未经无锡华润安盛科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310213206.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
