[发明专利]硅晶圆剥离方法以及硅晶圆剥离装置有效
| 申请号： | 201310207714.5 | 申请日： | 2013-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN103456668A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 松野行壮;吉野道朗;高桥正行;古重徹;山本雄士 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 邱忠贶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅晶圆剥离方法以及硅晶圆剥离装置，硅晶圆剥离装置的特征在于，包括：隔热材料（3），该隔热材料（3）对通过粘接剂粘接有多个硅晶圆的激光材料（2）进行支承；感应加热线圈（5），该感应加热线圈（5）用于对激光材料（2）加热；运送结构（4），该运送结构（4）在水平方向上使隔热材料（3）相对于感应加热线圈（5）移动；吸附衬垫（6），该吸附衬垫（6）一片一片地剥离硅晶圆；以及水槽（7），该水槽（7）用于将激光材料（2）及隔热材料（3）浸渍于液体中。 | ||
| 搜索关键词： | 硅晶圆 剥离 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
一种硅晶圆剥离方法，其特征在于，通过在液体中对板状构件加热，从而将通过粘接剂与所述板状构件相粘接的多块硅晶圆从所述板状构件上剥离。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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