[发明专利]硅晶圆剥离方法以及硅晶圆剥离装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种硅晶圆剥离方法以及硅晶圆剥离装置，例如从通过粘接剂粘接有经切片加工后的硅晶圆的激光材料剥离半导体用的硅晶圆。

背景技术

近年来，作为代替石油的能源，太阳能发电正备受瞩目。

由于在太阳能发电中，希望将大量使用的硅晶圆的成本降低，因此希望有效地利用硅锭来制造硅晶圆。

对于硅晶圆的制造方法，大致而言，包括如下工序：粘接工序、切片工序、粗清洗及剥离工序、晶圆切割工序、清洗工序、以及检查工序。

因此，参照图4对现有的硅晶圆制造方法进行具体说明。

这里，图4是现有的粘接有硅锭1、激光材料2、以及基板10的结构体的示意性的主视图（XZ平面图）。

硅锭1是圆柱形或锥形的单晶体或多晶体硅片。在该现有的硅晶圆制造方法中，激光材料2是玻璃板，以作为用于防止硅锭1的加工终端部受到损坏的保护材料。基板10是用于安装在通过切片加工从硅锭1制成较薄的硅晶圆1a的、被称作为线锯上的治具。在现有的硅晶圆制造方法中，粘接剂8是二液性的。

首先，在粘接工序中，将粘接剂8涂布于硅锭1或激光材料2，从而将硅锭1与激光材料2粘接，然后，将粘接剂8涂布于激光材料2或基板10，从而将激光材料2与基板10粘接。

接下来，在切片工序中，利用线锯对与激光材料2及基板10相粘接的硅锭1进行切片加工。通过切片加工制成一千几百片硅晶圆1a的硅锭1通过粘接剂8与激光材料2相粘接。通常来说，切片加工中，相邻硅晶圆1a间的间隙为从硅锭1一侧到粘接剂8及激光材料2的硅锭1一侧的一部分。

接着，在粗清洗及玻璃工序中，对与激光材料2相粘接的硅晶圆1a进行清洗，并使用用于热软化粘接剂8的5O°C的温水、或作为清洗剂的乳酸等药剂，来从激光材料2上将一千几百片硅晶圆la一并剥离。

接着，在晶圆切割工序中，将从激光材料2上一并剥离并相重叠的硅晶圆1a切割成一片一片的硅晶圆1a。

接着，在清洗工序中，清洗被切割下来的硅晶圆1a。

然后，在检查工序中，检查清洗后的硅晶圆1a。

然而，如上所述，在上述粗清洗及剥离工序中，一千几百片硅晶圆1a是从激光材料2上被一并剥离下来的。

因此，容易产生如下状态：被剥离下来的硅晶圆1a重叠在其他被剥离下来的硅晶圆1a之上，或者被剥离下来的硅晶圆1a相互紧靠在一起。

然后，有时该状态下的硅晶圆1a将断裂，或者硅晶圆1a的边缘部分将损坏。

此外，在粗洗净及剥离工序中、需要手工将排列不整齐的硅晶圆1a排列整齐，并此后移至晶圆切割工序，或者需要将硅晶圆1a插入用于晶圆切割工序的机架中的工序，因此可能使得制造效率下降。

因此，已知有如下的硅晶圆剥离方法：通过在空气中使热风从－Y侧吹入、即从最外侧的应剥离的硅晶圆1a的表面一侧吹入，从而在对粘接剂8加热的同时，从激光材料2上一片一片地剥离硅晶圆1a（例如，参照专利文献1）。

此外，在上述硅晶圆剥离方法中，不进行粗清洗，使得切片加工中产生的粉状硅泥与加工液相混、并塞满相邻硅晶圆1a间的间隙，由此热风在该状态下被吹入。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本实用新型专利第3149712号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

然而，即使利用这种现有的硅晶圆剥离方法，也难以有效地将硅晶圆1a从激光材料2上一片一片剥离。

并且，在上述现有的硅晶圆剥离方法中，切片加工后的硅碇1通过所吹入的热风来加热，因此硅晶圆1a的表面与空气中的氧气反应，从而被氧化，使得硅晶圆1a的品质有所下降。

本发明将上述现有问题考虑在内，其目的在于，提供一种硅晶圆剥离方法、以及硅晶圆剥离装置，能够在抑制硅晶圆品质下降的同时，更有效地将硅晶圆从玻璃材料上一片一片地剥离。

解决技术问题所采用的技术方案

本发明的第1技术方案是一种硅晶圆剥离方法，其特征在于，通过在液体中对板状构件加热，从而将通过粘接剂与上述板状构件相粘接的多块硅晶圆从上述板状构件上剥离。

本发明的第2技术方案是本发明的第1技术方案的硅晶圆剥离方法，其特征在于，上述硅晶圆的外边缘部的一部分为平面，

并且，上述硅晶圆的外边缘部的一部分的平面、与上述板状构件的表面通过上述粘接剂相粘接。

本发明的第3技术方案是本发明的第2技术方案的硅晶圆剥离方法，其特征在于，在上述板状构件的正上侧配置有上述硅晶圆的状态下，对上述硅晶圆进行剥离。