[发明专利]三结级联太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明涉及太阳能技术领域，尤其是几种三结级联太阳能电池，其包括在GaAs衬底上依次生长的底电池层、第一隧道结、中间电池层、第二隧道结、顶电池层及GaAs接触层；所述GaAs衬底底部设有下欧姆电极及所述GaAs接触层顶部还设有上欧姆电极、抗反射膜。本发明还提供这几种太阳能电池的制备方法。本发明实现对太阳光谱的分段吸收利用，各个子电池间的电流匹配，每个电池层与GaAs晶格匹配，可获得较高的电池效率，是一种潜在的理想的太阳能电池材料。

主权项

一种三结级联太阳能电池，其特征在于，包括在GaAs衬底上依次生长的GaAs1‑x‑yNxBiy底电池层、第一隧道结、InmGa1‑mAs1‑nNn中间电池层、第二隧道结、AlpGa1‑pAs顶电池层及GaAs接触层；所述GaAs接触层顶部依次设置上欧姆接触电极和抗反射膜，所述GaAs衬底底部还设有下欧姆接触电极。