[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种具备设置在基板的贯通电极且可靠性高的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置，通过从半导体基板（10）的主面（13）到主面（11）贯通半导体基板，形成使设置在主面（11）侧的导电层（16）在底部露出的通孔（20），形成从通孔（20）底部经由通孔侧面延伸至主面（13）的晶种层（24），在晶种层上利用第1镀层处理形成导电层（26），在导电层（26）上形成光刻胶（28），利用显影处理形成在光刻胶露出通孔（20）的开孔（29），将形成有开孔的光刻胶作为掩膜，在从光刻胶露出的导电层（26）上通过第2镀层处理形成导电层（30）。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：在具有一主面和与所述一主面相反侧的另一主面、以及设置在所述另一主面侧的第1导电层的半导体基板中，从所述半导体基板的所述一主面到所述另一主面贯通所述半导体基板，形成使设置在所述另一主面侧的所述第1导电层在底部露出的通孔的步骤；形成从所述通孔的所述底部经由所述通孔的侧面延伸至所述一主面的晶种层的步骤；在所述通孔内以及所述一主面上的所述晶种层的整个表面利用第1镀层处理形成第2导电层的步骤；在所述第2导电层上形成光刻胶的步骤；利用显影处理在所述光刻胶形成连续露出所述通孔内的所述第2导电层和所述一主面上的所述的第2导电层的开孔的步骤；以及根据形成了所述开孔的所述光刻胶而遍及所述通孔内的所述第2导电层上和所述一主面上形成第3导电层的步骤。