[发明专利]制造多栅极器件的方法

摘要

本发明提供了一种器件，该器件包括包括隔离部件的晶圆衬底、嵌入隔离部件中的至少两个鳍结构、环绕两个鳍结构分别地设置的至少两个栅叠层。第一层间介电（ILD）层设置在两个栅叠层之间，在该两个栅叠层之间形成盘状沟槽，使得沟槽的底面低于相邻的两个栅叠层的顶面。在包括在盘状沟槽中的第一ILD层的上方设置第二ILD层。第二ILD包括氮化物材料；第一ILD包括氧化物材料。本发明还提供了制造多栅极器件的方法。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底，包括隔离部件；至少两个鳍结构，嵌入所述隔离部件中；至少两个栅叠层，被设置为分别环绕所述两个鳍结构；第一层间介电(ILD)层，设置在所述两个栅叠层之间，其中，所述第一层间介电层的一部分的顶面低于栅叠层的顶面，从而形成沟槽；以及第二层间介电层，设置在所述第一层间介电层的上方并且位于所述沟槽中，其中，所述第二层间介电层的顶面与所述栅叠层的顶面等高，其中，所述第二层间介电层不同于所述第一层间介电层，所述第二层间介电层为氮化物材料，而所述第一层间介电层为氧化物材料。