[发明专利]垂直存储器件及其制造方法

摘要

提供了一种垂直存储器件及其制造方法，所述垂直存储器件能够使单元尺寸最小化、并且改善电流驱动能力。所述垂直存储器件包括公共源极区和形成在所述公共源极区上、并且沿着第一方向延伸的源极区。沟道区形成在每个源极区上，所述沟道区沿着第一方向延伸。沟槽形成在沟道区之间。漏极区形成在每个沟道区上。导电层形成在每个沟道区的侧面上，所述导电层沿着第一方向延伸。数据储存材料形成在每个漏极区上。

主权项

一种垂直存储器件，包括：公共源极区；源极区，所述源极区形成在所述公共源极区之上，并且具有沿着第一方向延伸的线型；沟道区，所述沟道区形成在每个所述源极区之上，并且沿着所述第一方向延伸；沟槽，所述沟槽以预定间隔形成在所述沟道区中；漏极区，所述漏极区形成在所述沟道区和所述源极区中的每个之上以形成沿与所述公共源极区的表面垂直的方向延伸的沟道；导电层，所述导电层形成在每个所述沟道区的侧面上，并且沿着所述第一方向延伸；以及数据储存材料，所述数据储存材料形成在每个所述漏极区之上。