[发明专利]一种类T型栅掩蔽自对准法制备金刚石基FET器件的方法

摘要

本发明公开了一种类T型栅掩蔽自对准法制备金刚石基FET器件的方法，涉及半导体器件的制作方法技术领域。包括以下步骤：在耐高温衬底上形成高阻金刚石层；在高阻金刚石层上形成导电沟道；在高阻金刚石层的表面覆盖一层金属掩膜层；光刻台面；利用腐蚀液去除台面区域外金属掩膜；在金属掩膜上通过光刻形成栅；利用腐蚀液去除源漏中间区域的金属掩膜，形成源漏；在上述腐蚀区域内制作类T型栅；在金属栅的外侧通过氧化或氮化处理形成介质层；利用类T形栅做作为掩蔽。所述方法采用类T型栅掩蔽自对准工艺，有效的减小栅源和栅漏之间间距，使源漏间距基本上和栅长相当，从而减小栅源和栅漏电阻。

主权项

一种类T型栅掩蔽自对准法制备金刚石基FET器件的方法，其特征在于包括以下步骤：（1）在耐高温衬底上形成高阻金刚石层；（2）在高阻金刚石层上形成导电沟道；（3）在高阻金刚石层的表面覆盖一层金属掩膜层，金属掩膜层能与金刚石形成欧姆接触，厚度为5nm‑5μm；（4）光刻台面；（5）利用腐蚀液去除台面区域外金属掩膜后，利用氧等离子体刻蚀方法实现台面隔离；（6）在金属掩膜上通过光刻形成栅；（7）利用腐蚀液去除源漏中间区域的金属掩膜，形成源漏；（8）在上述腐蚀区域内制作类T型栅，类T型栅的制作材料为能与金刚石沟道形成肖特基接触的易氧化金属；（9）在金属栅的外侧通过氧化或氮化处理形成介质层；（10）利用类T形栅做作为掩蔽，利用自对准工艺，蒸发金属，栅帽下阴影之外自对准形成源漏欧姆接触，此时源漏间距相当于栅帽宽度。