[发明专利]一种类T型栅掩蔽自对准法制备金刚石基FET器件的方法

权利要求书

1.一种类T型栅掩蔽自对准法制备金刚石基FET器件的方法，其特征在于包括以下步骤：

（1）在耐高温衬底上形成高阻金刚石层；

（2）在高阻金刚石层上形成导电沟道；

（3）在高阻金刚石层的表面覆盖一层金属掩膜层，金属掩膜层能与金刚石形成欧姆接触，厚度为5nm-5μm；

（4）光刻台面；

（5）利用腐蚀液去除台面区域外金属掩膜后，利用氧等离子体刻蚀方法实现台面隔离；

（6）在金属掩膜上通过光刻形成栅；

（7）利用腐蚀液去除源漏中间区域的金属掩膜，形成源漏；

（8）在上述腐蚀区域内制作类T型栅，类T型栅的制作材料为能与金刚石沟道形成肖特基接触的易氧化金属；

（9）在金属栅的外侧通过氧化或氮化处理形成介质层；

（10）利用类T形栅做作为掩蔽，利用自对准工艺，蒸发金属，栅帽下阴影之外自对准形成源漏欧姆接触，此时源漏间距相当于栅帽宽度。

2.根据权利要求1所述的一种类T型栅掩蔽自对准法制备金刚石基FET器件的方法，其特征在于所述耐高温衬底为SiO₂、Si、BN₃、Gu或钼。

3.根据权利要求1所述的一种类T型栅掩蔽自对准法制备金刚石基FET器件的方法，其特征在于步骤（2）中形成导电沟道的方法包括氢等离子体处理法、化学掺杂法或B掺杂法。

4.根据权利要求1所述的一种类T型栅掩蔽自对准法制备金刚石基FET器件的方法，其特征在于步骤（3）中金属掩膜层的材料为Au，Ti，Pt，Ag，Cr或Cu。

5.根据权利要求1所述的一种类T型栅掩蔽自对准法制备金刚石基FET器件的方法，其特征在于步骤（7）中腐蚀液为碘化钾和碘的混合液、氨水与双氧水的混合液、硼酸溶液、盐酸溶液或硝酸与冰乙酸的混合液。

6.根据权利要求1所述的一种类T型栅掩蔽自对准法制备金刚石基FET器件的方法，其特征在于步骤（8）中所述类T型栅为栅帽宽度大于栅根宽度的栅。

7.根据权利要求6所述的一种类T型栅掩蔽自对准法制备金刚石基FET器件的方法，其特征在于所述类T型栅为T型栅、U型栅、G型栅。

8.根据权利要求1所述的一种类T型栅掩蔽自对准法制备金刚石基FET器件的方法，其特征在于所述步骤（8）中栅的制作金属为Al，Ni，Sn，Ti或W。

9.根据权利要求1所述的一种类T型栅掩蔽自对准法制备金刚石基FET器件的方法，其特征在于步骤（9）中的介质层为步骤（8）中栅金属的氧化物或氮化物。

10.根据权利要求9所述的一种类T型栅掩蔽自对准法制备金刚石基FET器件的方法，其特征在于步骤（9）中所述介质层的制作材料为Al₂O₃，NiO_x，SnO_x，TiO_x或W₂O₅。