[发明专利]改善互连工艺中半导体器件可靠性的方法

摘要

本发明提供一种改善互连工艺中半导体器件可靠性的方法，本发明分两步形成包括第一PEOX层和位于其上的第二PEOX层的顶层互联结构的介电质层，其中，形成第一PEOX层比形成第二PEOX层采用更低的能量和更低的沉积速率，从而使第一PEOX层相较于第二PEOX层具有更高的致密性和更强的压应力，又由于顶层互联结构对直接位于其下前一互联结构的超低k值金属间介电质产生金属拉应力，因此，第一PEOX层具有更强的压应力可以更好地抵消前述的金属拉应力，以降低超低k值金属间介电质因金属拉应力造成的损伤，从而降低漏电流、提高器件的击穿电压和电迁移率等方面的性能，以提高器件的电性测试和可靠性方面的性能，提高器件良率。

主权项

一种改善互连工艺中半导体器件可靠性的方法，其特征在于，所述方法在对顶层互联结构的介电质层进行图形化以形成用于填充金属的沟槽之前至少包括：1）在形成有贯穿超低k值金属间介电质的互连线的前一互联结构上制备一顶层停止层，其中，顶层互联结构预制备于所述前一互联结构上；2）采用第一能量和第一沉积速率，在所述顶层停止层上沉积具有第一厚度的第一PEOX层；3）采用第二能量和第二沉积速率，在所述第一PEOX层上沉积具有第二厚度的第二PEOX层，形成包括第一PEOX层和第二PEOX层的顶层互联结构的介电质层，其中，第一厚度小于第二厚度，第一能量小于第二能量，第一沉积速率小于第二沉积速率。