[发明专利]一种提高GaN基LED抗静电能力的外延结构及其生长方法

摘要

本发明公开一种提高GaN基LED抗静电能力的外延结构及其生长方法，该外延结构从下向上的顺序依次为：衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、第一个N型GaN层、多量子阱结构MQW、多量子阱有源层、低温P型GaN层、P型AlGaN层、高温P型GaN层和P型接触层，在所述第一个N型GaN层与多量子阱结构MQW层之间依次插入N型ALxGa1-xN层和第二个N型GaN层，其中0.05

主权项

一种提高GaN基LED抗静电能力的外延结构，该外延结构从下向上的顺序依次为：衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、第一个N型GaN层、多量子阱结构MQW、多量子阱有源层、低温P型GaN层、P型AlGaN层、高温P型GaN层和P型接触层，其特征在于，在所述第一个N型GaN层与多量子阱结构MQW层之间依次插入N型ALxGa1‑xN层和第二个N型GaN层，其中0.05

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。 免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥彩虹蓝光科技有限公司，未经合肥彩虹蓝光科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310180371.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。