[发明专利]一种提高GaN基LED抗静电能力的外延结构及其生长方法

权利要求书

1.一种提高GaN基LED抗静电能力的外延结构，该外延结构从下向上的顺序依次为：衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、第一个N型GaN层、多量子阱结构MQW、多量子阱有源层、低温P型GaN层、P型AlGaN层、高温P型GaN层和P型接触层，其特征在于，在所述第一个N型GaN层与多量子阱结构MQW层之间依次插入N型AL_xGa_1-xN层和第二个N型GaN层，其中0.05<x<0.25。

2.一种如权利要求1所述的提高GaN基LED抗静电能力的外延结构的生长方法，其特征在于，在所述N型AL_xGa_1-xN层插入生长后，在生长第一个N型GaN层时，该第一个N型GaN层流量相对不插入N型AL_xGa_1-xN层的情况减少10%~20%；在插入生长所述N型AL_xGa_1-xN层后生长第二个N型GaN层时，该第二个N型GaN层流量与上述生长第一个N型GaN层流量相同。

3.根据权利要求2所述的提高GaN基LED抗静电能力的外延结构的生长方法，其特征在于，所述N型AL_xGa_1-xN插入层的生长厚度保持在0-1μm之间。