[发明专利]分离栅式快闪存储器的制造方法

摘要

本发明提供了一种分离栅式快闪存储器的制造方法。包括：提供半导体衬底和形成第一绝缘层；形成两两相邻成对的栅极叠层，并在所述栅极叠层的侧面覆盖栅极侧墙；沉积第一高压栅氧化层；刻蚀去除部分第一高压栅氧化层；覆盖第二高压栅氧化层；刻蚀去除部分的第二高压栅氧化层和部分第一高压栅氧化层；采用快速热退火或现场水汽生成退火进行膜层修复处理工艺。本发明通过经过多道步骤在形成浮置栅极和字线之间的间隙氧化层之后，采用快速热退火或现场水汽生成退火对间隙氧化层中的第一高压栅氧化层进行膜层修复处理工艺，从而减少第一高压栅氧化层中的不稳定键，从而提高器件的稳定性。

主权项

一种分离栅式快闪存储器的制造方法，包括：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成依次叠加的浮置栅极、第二绝缘层、控制栅极以及硬掩膜层，构成两两相邻成对的栅极叠层，并在所述栅极叠层的侧面覆盖栅极侧墙；沉积第一高压栅氧化层；在相邻成对的两栅极叠层的顶壁的相对外半部以及相对的外侧侧壁上形成第一光刻胶图形，刻蚀去除暴露的第一高压栅氧化层和第一绝缘层，其后去除所述第一光刻胶图形；沉积第二高压栅氧化层；在相邻成对的两栅极叠层的顶壁相对的内半部、相对的内侧侧壁以及两栅极叠层之间的半导体衬底上形成第二光刻胶图形，刻蚀去除暴露的第二高压栅氧化层、部分第一高压栅氧化层和第一绝缘层，其后去除第二光刻胶图形；采用快速热退火或现场水汽生成退火进行膜层修复处理工艺。