[发明专利]分离栅式快闪存储器的制造方法在审
| 申请号： | 201310178626.7 | 申请日： | 2013-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN104157614A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 王友臻;周儒领 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 分离 栅式快 闪存 制造 方法 | ||
1.一种分离栅式快闪存储器的制造方法，包括：
提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成依次叠加的浮置栅极、第二绝缘层、控制栅极以及硬掩膜层，构成两两相邻成对的栅极叠层，并在所述栅极叠层的侧面覆盖栅极侧墙；
沉积第一高压栅氧化层；
在相邻成对的两栅极叠层的顶壁的相对外半部以及相对的外侧侧壁上形成第一光刻胶图形，刻蚀去除暴露的第一高压栅氧化层和第一绝缘层，其后去除所述第一光刻胶图形；
沉积第二高压栅氧化层；
在相邻成对的两栅极叠层的顶壁相对的内半部、相对的内侧侧壁以及两栅极叠层之间的半导体衬底上形成第二光刻胶图形，刻蚀去除暴露的第二高压栅氧化层、部分第一高压栅氧化层和第一绝缘层，其后去除第二光刻胶图形；
采用快速热退火或现场水汽生成退火进行膜层修复处理工艺。
2.如权利要求1所述的分离栅式快闪存储器的制造方法，其特征在于，采用快速热退火或现场水汽生成退火进行膜层修复处理工艺，退火过程中通入气体为一氧化二氮、一氧化氮或者氮气、一氧化二氮及一氧化氮中的一种或几种与氧气的混合气体，退火温度为950℃～1100℃，退火时间为10秒～60秒。
3.如权利要求1或2所述的分离栅式快闪存储器的制造方法，其特征在于，所述栅极侧墙的厚度为
4.如权利要求1或2所述的分离栅式快闪存储器的制造方法，其特征在于，所述第一高压栅氧化层的厚度为
5.如权利要求1或2所述的分离栅式快闪存储器的制造方法，其特征在于，所述第二高压栅氧化层的厚度为
6.如权利要求1或2所述的分离栅式快闪存储器的制造方法，其特征在于，在刻蚀去除暴露的第二高压栅氧化层和部分第一高压栅氧化层，去除暴露的第一高压栅氧化层的厚度为
7.如权利要求1至2所述的分离栅式快闪存储器的制造方法，其特征在于，在去除第二光刻胶图形和进行退火工艺的步骤之间，还包括：
利用热氧化法在暴露的半导体衬底上生长低压栅氧化层。
8.如权利要求7所述的分离栅式快闪存储器的制造方法，其特征在于，所述低压栅氧化层的厚度为
9.如权利要求1或2所述的分离栅式快闪存储器的制造方法，其特征在于，在相邻的栅极叠层之间形成擦除栅极，在相邻的栅极叠层两侧形成字线，所述栅极叠层和字线之间的栅极侧墙、第一高压栅氧化层以及低压栅氧化层构成了浮置栅极和字线之间的间隙氧化层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
