[发明专利]改善刻蚀后关键尺寸均匀性的方法

摘要

本发明提供一种改善刻蚀后关键尺寸均匀性的方法，至少包括以下步骤：提供一基板，其上依次形成有硬掩模层及若干平行排列的线条；然后测试所述线条的线宽并沉积侧壁隔离层，根据线宽判断所需刻蚀时间对侧壁隔离层进行刻蚀，使相邻隔离墙之间的间隙宽度等于所述线条的线宽；再去除所述线条，根据线宽确定刻蚀气体的比例，在所述硬掩模层中刻蚀形成若干具有预设底部宽度的开口；最后在所述基板中刻蚀形成分布均匀的若干凹槽。本发明通过监测线条的线宽，并根据测得的线宽调整侧壁隔离墙刻蚀时间得到预设厚度的隔离墙，再调整硬掩膜开口的倾斜角度来控制开口的底部宽度，最终得到均匀的凹槽分布，改善了器件的RC性能及可靠性。

主权项

一种改善刻蚀后关键尺寸均匀性的方法，其特征在于，所述改善刻蚀后关键尺寸均匀性的方法至少包括以下步骤：1）提供一基板，所述基板上形成有硬掩模层，所述硬掩膜层上形成有若干平行排列的线条；2）测试所述线条的线宽；3）沉积侧壁隔离层，所述侧壁隔离层覆盖所述线条外表面及所述硬掩模表面；4）根据步骤2）中测得的线宽判断所需刻蚀时间，采用该刻蚀时间对所述侧壁隔离层进行刻蚀，直至在所述线条侧壁留下预设厚度的隔离墙，使相邻隔离墙之间的间隙宽度等于所述线条的线宽；5）去除所述线条，根据步骤2）中测得的线宽确定刻蚀气体的比例，然后以所述预设厚度的隔离墙为掩模、并采用该比例的刻蚀气体对所述硬掩模层进行刻蚀，在所述硬掩模层中形成若干具有预设底部宽度的开口；6）以刻蚀后的硬掩膜层为掩模，对所述基板进行刻蚀，在所述基板中形成分布均匀的若干凹槽。