[发明专利]半导体器件和该器件的制造方法有效
| 申请号： | 201310176515.2 | 申请日： | 2013-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN103426928B | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 金柱然 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L27/092;H01L27/11;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件和该器件的制造方法。该半导体器件包括N型场效应晶体管，该N型场效应晶体管包括衬底中的N沟道区。高介电常数（高k）层设置在N沟道区上。包括金属氧化物的扩散层设置在该高k层上。钝化层设置在该扩散层上，第一金属栅极设置在该钝化层上。该高k层和N沟道区包括金属氧化物的金属元素的金属原子。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 金属氧化物 钝化层 扩散层 高k层 高介电常数 金属元素 金属原子 金属栅极 衬底 制造 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括N型场效应晶体管，该N型场效应晶体管包括：第一高介电常数层，设置在衬底上；包括金属氧化物的扩散层，设置在该第一高介电常数层上；钝化层，设置在该扩散层上；以及第一金属栅极，设置在该钝化层上，其中所述半导体器件还包括P型场效应晶体管，该P型场效应晶体管包括设置在该衬底上的第二高介电常数层，其中该P型场效应晶体管还包括：扩散阻挡层，形成在该第二高介电常数层上；该扩散层，设置在该扩散阻挡层上；该钝化层，设置在该扩散层上；以及第二金属栅极，设置在该钝化层上，其中该扩散阻挡层防止该扩散层的金属原子扩散到该第二高介电常数层和该衬底中，其中该第二高介电常数层具有U形，其下侧壁覆盖有该扩散阻挡层，其上侧壁覆盖有该扩散层。
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