[发明专利]一种具有正温度系数发射极镇流电阻的IGBT器件有效
| 申请号： | 201310175984.2 | 申请日： | 2013-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN103258848A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;单亚东;宋文龙;顾鸿鸣;邹有彪;宋洵奕 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/36;H01L21/331 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 李顺德;王睿 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种具有正温度系数发射极镇流电阻（EBR）的IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。常规EBR结构的IGBT器件中，发射极镇流电阻由距离发射极接触区较远的条状N+发射区条构成，其电阻值通常呈现负温度系数，即：温度越高，电阻值越小，IGBT的饱和电流增大，器件短路能力在高温环境下将显著减弱。本发明通过在N+发射区里面深能级受主杂质（包括In、Ti、Co或Ni），使得深能级受主杂质电离后产生的空穴对N型杂质具有一定的补偿作用，以提高增大EBR电阻，这样就实现了正温度系数的发射极镇流电阻，使得IGBT器件随温度升高，发射极镇流电阻增大，提高IGBT的短路和抗闩锁能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 温度 系数 发射极 流电 igbt 器件 | ||
【主权项】：
一种具有正温度系数发射极镇流电阻的IGBT器件，包括P+集电区（7）、位于P+集电区（7）背面的金属集电极（8）、N‑漂移区（5）、位于N‑漂移区（5）和P+集电区（7）之间的N型缓冲层（6）；所述N‑漂移区（5）顶层中间区域为P型基区（4），P型基区（4）中具有N+发射区（11），N+发射区（11）通过位于N+发射区（2）中心处的接触孔（3）与金属发射极（9）相连；所述IGBT器件还包括栅极结构，栅极结构由相互接触的多晶硅栅电极（1）和栅氧化层构成，其中栅氧化层与N‑漂移区（5）、P型基区（4）和N+发射区（2）均接触，多晶硅栅电极（1）与金属发射极（9）之间具有隔离介质（10）；所述N+发射区（11）内掺入了深能级受主杂质，所述深能级受主杂质的掺入浓度不低于1e18cm‑3，使得远离发射极接触孔（3）的条状N+发射区形成具有正温度系数的发射极镇流电阻。
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