[发明专利]掩模及其形成方法有效
| 申请号： | 201310173745.3 | 申请日： | 2013-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN103529640B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 游信胜;严涛南 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/24 | 分类号： | G03F1/24 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了掩模及其形成方法，其中掩模可应用于光刻以制造半导体晶片。掩模包括低热膨胀材料（LTEM）基板、位于LTEM基板上方的反射多层（ML）以及位于反射ML上方的图案化吸收层。图案化吸收层包括范围在25nm和31nm之间的厚度、范围在0.84和0.93之间的折射率以及范围在0.038和0.051之间的消光系数。 | ||
| 搜索关键词： | 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种远紫外线掩模底版，包括：低热膨胀材料基板；位于所述低热膨胀材料基板上方的反射多层；以及位于所述反射多层上方的吸收层，所述吸收层包括范围在25nm至31nm之间的厚度、范围在0.84至0.93之间的折射率和范围在0.038至0.051之间的消光系数，其中，来自由所述反射多层构成的反射区域的反射光相对于来自由所述吸收层构成的吸收区域的反射光产生约180度的相移，并且所述反射区域和所述吸收区域的宽度相同。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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