[发明专利]量子场分布的Trench MOSFET沟槽终端结构及制造方法

摘要

量子场分布的TrenchMOSFET沟槽终端结构,包括外延层，及位于外延层中深度相同的第一隔离槽和平行于第一隔离槽，且位于第一隔离槽远离硅片边界一侧的第二隔离槽；第一隔离槽和第二隔离槽内部都有多晶硅电极，所述多晶硅电极与沟槽内壁之间有栅氧化层，所述第一隔离槽和第二隔离槽之间连接有短隔离槽。及制造上述结构的制造方法。采用本发明所述的量子场分布的TrenchMOSFET沟槽终端结构及制造方法，改变了原来终端结构的设计方法，在隔离槽与隔离槽之间用小沟槽相连接，此结构消除了体区边缘的曲率半径，把体区终端部分更充分地变为平行平面结。这种结构既不用设计场板和场限环结合结构中的距离难点，而且还节省了芯片的面积。

主权项

量子场分布的Trench MOSFET沟槽终端结构,包括外延层（22），及位于外延层（22）中的第一隔离槽（20）和平行于第一隔离槽，且位于第一隔离槽靠近硅片边界一侧的第二隔离槽（19）；第一隔离槽、第二隔离槽深度相同，且具有如下所述的相同结构：内部都有悬空场板，所述悬空场板与隔离槽内壁之间有栅氧化层，其特征在于：所述第一隔离槽和第二隔离槽之间连接有短隔离槽（3），所述短隔离槽的结构与第一隔离槽和第二隔离槽相同，且短隔离槽的悬空场板连接第一隔离槽和第二隔离槽的悬空场板。