[发明专利]基于III族氮化物材料的凹槽栅极结构的IGBT在审
| 申请号： | 201310171111.4 | 申请日： | 2013-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN103311288A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 房玉龙;冯志红;尹甲运;王元刚;盛百城;敦少博;吕元杰;宋旭波;邢东 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L29/201 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于III族氮化物材料的凹槽栅极结构的IGBT，属于半导体器件。本发明自上而下依次包括盖帽层、势垒层、沟道层、阻挡层、耐压层、集电层、发射极、集电极和凹槽栅极；将凹槽栅极延伸到盖帽层及其以下的部分称为栅根；栅根的深度不小于盖帽层、势垒层、沟道层和阻挡层的深度之和；阻挡层为InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1）。本发明在原有的IGBT中应用特殊结构的凹槽栅极，使得发射区载流子可以沿凹槽栅极的侧壁穿过阻挡层进入耐压区；阻挡层采用大禁带宽度的InxAlyGa1-x-yN，可抬高阻挡层势垒，起到天然阻挡层的作用，因而无需在材料外延生长过程中进行阻挡层挖槽，解决了盖帽层、势垒层、沟道层需要二次外延的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 iii 氮化物 材料 凹槽 栅极 结构 igbt | ||
【主权项】：
一种基于III族氮化物材料的凹槽栅极结构的IGBT，其特征在于自上而下依次包括盖帽层（1）、势垒层（2）、沟道层（3）、阻挡层（4）、耐压层（5）和集电层（8），还包括发射极（6）、集电极（9）和凹槽栅极（7）；所述发射极（6）位于盖帽层（1）之上，所述集电极（9）位于集电层（8）之下；将所述凹槽栅极（7）延伸到盖帽层（1）及其以下的部分称为栅根；所述栅根的深度不小于盖帽层（1）、势垒层（2）、沟道层（3）和阻挡层（4）的深度之和；所述阻挡层（4）为InxAlyGa1‑x‑yN（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1）。
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