[发明专利]一种基于背钝化太阳能电池制作的背面抛光工艺无效
申请号: | 201310168596.1 | 申请日: | 2013-05-09 |
公开(公告)号: | CN103236473A | 公开(公告)日: | 2013-08-07 |
发明(设计)人: | 成文;刘文峰;杨晓生 | 申请(专利权)人: | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人: | 马强 |
地址: | 410205 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于背钝化太阳能电池制作的背面抛光工艺,其步骤包括:先在硅片正面生成一定厚度,起保护作用的氮化硅掩膜,再使用加热的浓碱液对硅片背面进行中度腐蚀,达到抛光效果。本发明是一种低成本的化学抛光法,经济适用,适合大生产使用,化学液的处理也非常简单,一般的工厂水处理都可以完全解决,经济,环保。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 钝化 太阳能电池 制作 背面 抛光 工艺 | ||
【主权项】:
一种基于背钝化太阳能电池制作的背面抛光工艺,其特征在于,先在硅片正面生成厚度大于60纳米,起保护作用的氮化硅掩膜;再使用加热的浓碱液对硅片背面进行中度腐蚀,达到抛光效果;所述浓碱液的碱质量浓度在20%‑40%,浓碱液温度控制在40℃‑60℃;所述腐蚀的时间为30秒‑300秒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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