[发明专利]一种基于背钝化太阳能电池制作的背面抛光工艺

权利要求书

1.一种基于背钝化太阳能电池制作的背面抛光工艺，其特征在于，先在硅片正面生成厚度大于60纳米，起保护作用的氮化硅掩膜；再使用加热的浓碱液对硅片背面进行中度腐蚀，达到抛光效果；所述浓碱液的碱质量浓度在20%-40%，浓碱液温度控制在40℃-60℃；所述腐蚀的时间为30秒-300秒。

2.根据权利要求1所述基于背钝化太阳能电池制作的背面抛光工艺，其特征在于，将完成所述中度腐蚀的硅片取出并放入纯水中漂洗。

3.根据权利要求1或2所述基于背钝化太阳能电池制作的背面抛光工艺，其特征在于，将完成所述中度腐蚀的硅片或其后经纯水中漂洗的硅片放入低浓度的HF溶液中进行浸泡，以去除氮化硅掩膜。

4.根据权利要求3所述基于背钝化太阳能电池制作的背面抛光工艺，其特征在于，当所述氮化硅掩膜的厚度为60纳米—62纳米时，所述HF溶液的质量浓度为4%—6%，所述浸泡的时间为580秒—620秒。

5.根据权利要求1所述基于背钝化太阳能电池制作的背面抛光工艺，其特征在于，使用管式PECVD来生成氮化硅掩膜。

6.根据权利要求1所述基于背钝化太阳能电池制作的背面抛光工艺，其特征在于，所述浓碱液为KOH或者NaOH溶液。

7.根据权利要求1所述基于背钝化太阳能电池制作的背面抛光工艺，其特征在于，所述浓碱液是在水浴中加热。