[发明专利]一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201310165204.6 | 申请日： | 2013-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN103296090A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 赵景训;邱勇;黄秀颀;平山秀雄;李建文;蔡世星 | 申请（专利权）人： | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 彭秀丽 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明所述的金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法，所述金属氧化物薄膜晶体管包括基板，及沿远离所述基板方向依次设置的栅极、栅极绝缘层、金属半导体氧化物层、源极/漏极导电层、层间绝缘层，所述层间绝缘层填充源极导电层和漏极导电层间的空隙形成沟道层；在所述层间绝缘层上表面形成阳极导电层及导电的上栅极；所述上栅极完全覆盖所述沟道层，且其材料的光反射率大于85%。上述结构通过设置光发射率大于85%的上栅极，可有效遮挡外界光线，防止外界光线对晶体管的性能造成影响，使得晶体管的阈值电压维持稳定的状态；并且由于其采用导电材料可以作为栅极使用，从而形成双栅结构，双栅结构可以使得晶体管的载流子迁移速度得到有效提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 氧化物 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物薄膜晶体管，包括基板（1），及沿远离所述基板（1）方向依次设置的栅极（2）、栅极绝缘层（3）、金属半导体氧化物层（4）、源极/漏极导电层（5）、层间绝缘层（6），所述层间绝缘层（6）填充源极导电层和漏极导电层间的空隙形成沟道层；其特征在于：在所述层间绝缘层（6）上表面形成阳极导电层（7）及导电的上栅极（8）；所述上栅极（8）完全覆盖所述沟道层，且其材料的光反射率大于85%。
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